天岳先进：改良型n型碳化硅衬底生长装置，提升晶片均匀性与衬底品质

7813

2024 年 6 月 18 日，金融界报道称，天眼查知识产权数据库显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请了一项名为“一种 N 型碳化硅衬底的生长装置”的专利，专利公开号为 CN202410530926.5，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要指出，该申请公开了适用于半导体制造领域的一种 N 型碳化硅衬底的生长装置。

所述生长装置包括以下部件：

• 坩埚，由坩埚主体和坩埚盖组成，其中坩埚盖设置在坩埚主体顶部，坩埚主体内部设有生长腔。
• 保温层结构，设置在坩埚外侧。
• 加热线圈，位于生长腔中心位置上方。
• 4 个或 4 个以上对称分布的气路，设置在坩埚盖顶部两侧，包括至少 2 个抽气路和至少 2 个氮气补充路。

本申请提供的生长装置通过额外的氮气补充源来增加边缘区域氮掺杂量，从而改善了晶片电阻率均匀性，提高了衬底的品质。